„Walter Schottky“ – Versionsunterschied

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'''Walter Hans Schottky''' (* [[23. Juli]] [[1886]] in [[Zürich]]; † [[4. März]] [[1976]] in [[Forchheim|Forchheim (Oberfranken)]]) war ein deutscher [[Physiker]] und [[Elektrotechnik]]er. Walter Schottky war der Sohn des Mathematikers [[Friedrich Schottky]] (1851–1935).
'''Walter Hans Schottky''' (* [[23. Juli]] [[1886]] in [[Zürich]]; † [[4. März]] [[1976]] in [[Forchheim|Forchheim (Oberfranken)]]) war ein deutscher [[Physiker]] und [[Elektrotechnik]]er. Er war der Sohn des Mathematikers [[Friedrich Schottky]] (1851–1935) und seiner Ehefrau Henriette Schottky (1858–1947, geb. Hammer).<ref>[https://fsv-pretzfeld.de/wp-content/uploads/2019/12/000-Erinnerungen-gesamt-reduziert.pdf Pretzfelder Erinnerungen], Abruf: 28. Juli 2024</ref><ref>{{MacTutor|id=Schottky}}</ref>


Nach Schottky wurden der [[Schottky-Effekt]] (eine Glühemission, wichtig für die Röhrentechnik), die [[Schottky-Diode]] (wobei die darin auftretende Sperrschicht als Schottky-Barriere bezeichnet wird), die [[Leerstelle|Schottky-Leerstellen]] (oder auch [[Schottky-Defekt]]e), die [[Schottky-Anomalie]] (ein Scheitelwert der [[Wärmekapazität]]) und die [[Schottky-Gleichung]] (auch Langmuir-Schottkysches-Raumladungsgesetz) benannt.
Nach Walter Schottky wurden der [[Schottky-Effekt]] (eine Glühemission, wichtig für die Röhrentechnik), die [[Schottky-Diode]] (wobei die darin auftretende Sperrschicht als Schottky-Barriere bezeichnet wird), die [[Leerstelle|Schottky-Leerstellen]] (oder auch [[Schottky-Defekt]]e), die [[Schottky-Anomalie]] (ein Scheitelwert der [[Wärmekapazität]]) und die [[Schottky-Gleichung]] (auch Langmuir-Schottkysches-Raumladungsgesetz) benannt.


Er leistete Forschungsarbeit über elektrische [[Rauschen (Physik)|Rauschmechanismen]] ([[Schrotrauschen]]), die [[Raumladung]], speziell in [[Elektronenröhre]]n, sowie über die Sperrschicht in [[Halbleiter]]n, die für die Entwicklung von [[Kupferoxydul-Gleichrichter]]n und [[Transistor]]en von Bedeutung waren.
Er leistete Forschungsarbeit über elektrische [[Rauschen (Physik)|Rauschmechanismen]] ([[Schrotrauschen]]), die [[Raumladung]], speziell in [[Elektronenröhre]]n, sowie über die Sperrschicht in [[Halbleiter]]n, die für die Entwicklung von [[Kupferoxydul-Gleichrichter]]n und [[Transistor]]en von Bedeutung waren.
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Nach dem Gymnasium in [[Marburg]] und [[Gymnasium Steglitz|Steglitz]] studierte er ab 1904 Physik an der [[Humboldt-Universität|Universität Berlin]]. Er promovierte 1912 bei [[Max Planck]] mit dem Thema ''Zur relativtheoretischen Energetik und Dynamik''. Danach ging er an die [[Universität Jena]] an das Physikalische Institut unter der Leitung von [[Max Wien]]. Er konnte 1913 sein theoretisch abgeleitetes ''U<sup>3/2</sup>-Gesetz'' für den Glühelektronenstrom in [[Elektronenröhre]]n ([[Schottky-Gleichung]]) experimentell nachweisen. 1914 bis 1916 war er wieder an der Universität Berlin, um sich zu habilitieren. Er entschloss sich aber zum Wechsel in die Industrie und begann 1916 bei der Firma [[Siemens]]. 1919 nahm er seine Bemühungen um die Habilitation wieder auf, ohne die Bindung an Siemens aufzugeben. Seine Habilitationsschrift ''Thermodynamik der seltenen Zustände im Dampfraum (Thermische Ionisierung und thermisches Leuchten)'' reichte er 1920 an der [[Universität Würzburg]] ein.
Nach dem Gymnasium in [[Marburg]] und [[Gymnasium Steglitz|Steglitz]] studierte er ab 1904 Physik an der [[Humboldt-Universität|Universität Berlin]]. Er promovierte 1912 bei [[Max Planck]] mit dem Thema ''Zur relativtheoretischen Energetik und Dynamik''. Danach ging er an die [[Universität Jena]] an das Physikalische Institut unter der Leitung von [[Max Wien]]. Er konnte 1913 sein theoretisch abgeleitetes ''U<sup>3/2</sup>-Gesetz'' für den Glühelektronenstrom in [[Elektronenröhre]]n ([[Schottky-Gleichung]]) experimentell nachweisen. 1914 bis 1916 war er wieder an der Universität Berlin, um sich zu habilitieren. Er entschloss sich aber zum Wechsel in die Industrie und begann 1916 bei der Firma [[Siemens]]. 1919 nahm er seine Bemühungen um die Habilitation wieder auf, ohne die Bindung an Siemens aufzugeben. Seine Habilitationsschrift ''Thermodynamik der seltenen Zustände im Dampfraum (Thermische Ionisierung und thermisches Leuchten)'' reichte er 1920 an der [[Universität Würzburg]] ein.


Schottky war in den Jahren 1923 bis 1927 Professor für theoretische Physik an der [[Universität Rostock]]. Danach wechselte er wieder zu [[Siemens & Halske]] nach [[Berlin]], wo er in den wissenschaftlichen Laboratorien arbeitete. Schottky betrieb dort Grundlagenforschung im Bereich der [[Halbleiterphysik]] und der [[Elektronik]]. Seine Forschungsgruppe zog während des [[Zweiter Weltkrieg|Zweiten Weltkriegs]] in das fränkische [[Pretzfeld]] um. Dies war auch Auslöser für die Gründung eines Siemens-Labors im Schloss in Pretzfeld im Jahr 1946. Der Physiker wohnte bis zu seinem Tod 1976 in dem Ort.
Schottky war in den Jahren 1923 bis 1927 Professor für theoretische Physik an der [[Universität Rostock]]. Danach wechselte er wieder zu [[Siemens & Halske]] nach [[Berlin]], wo er in den wissenschaftlichen Laboratorien arbeitete. Schottky betrieb dort Grundlagenforschung im Bereich der [[Halbleiterphysik]] und der [[Elektronik]]. Seine Forschungsgruppe zog während des [[Zweiter Weltkrieg|Zweiten Weltkriegs]] in das fränkische [[Pretzfeld]] um. Dies war auch Auslöser für die Gründung eines Siemens-Labors im Schloss in Pretzfeld im Jahr 1946. Der Physiker wohnte bis zu seinem Tod 1976 in dem Ort, wo er auch beerdigt wurde.


== Erfindungen ==
== Erfindungen ==
1915 erfand Schottky die [[Elektronenröhre#Tetrode|Tetrode]], eine Schirmgitterröhre. 1918 entwickelte er laut einigen Quellen das Prinzip eines [[Überlagerungsempfänger]]s, eines besonders hochwertigen Rundfunkempfangskreises, der mit einer Zwischenfrequenz arbeitet.<ref>{{patent|Land=DE|V-Nr=368937|Titel=Empfangsanordnung für elektrische Wellensignale|A-Datum=1918-06-18}}</ref> Es kam jedoch zu keiner Ausführung eines Gerätes.
1915 erfand Schottky die [[Elektronenröhre#Tetrode|Tetrode]], eine [[Schirmgitter]]röhre. 1918 entwickelte er laut einigen Quellen das Prinzip eines [[Überlagerungsempfänger]]s, eines besonders hochwertigen Rundfunkempfangskreises, der mit einer Zwischenfrequenz arbeitet.<ref>{{patent|Land=DE|V-Nr=368937|Titel=Empfangsanordnung für elektrische Wellensignale|A-Datum=1918-06-18}}</ref>


1924 erfand Schottky gemeinsam mit Erwin Gerlach das [[Mikrofon#Bändchenmikrofon|Bändchenmikrofon]]. Die Idee war, dass ein sehr dünnes, in einem Magnetfeld aufgehängtes Bändchen elektrische Signale erzeugen könnte. Dies führte zur Erfindung des Bändchenlautsprechers durch Verwendung in umgekehrter Reihenfolge, war jedoch erst in den späten 1930er Jahren praktikabel, als [[Permanentmagnet]]e mit hohem Fluss verfügbar wurden.<ref>{{Internetquelle| url=https://www.static.tu.berlin/fileadmin/www/10002020/Dokumente/Abschlussarbeiten/SassnowskiGeorg_MagA.pdf| titel=Die historische Entwicklung von Lautsprechern und ihres Einsatzes bei Konzertveranstaltungen| autor=Georg Saßnowski| hrsg=TU Berlin| werk=Freie wissenschaftliche Arbeit zur Erlangung des Grades eines Magister Artium M.A.| seiten=33| datum=2008-09| archiv-url=| archiv-datum=| abruf=2024-07-26| format=pdf| zitat=So entstand aus den Arbeiten von Walter Schottky und Erwin Gerlach zum 1924 vorgestellten Bändchenmikrofon der Bandlautsprecher als eine Sonderform des elektrodynamischen Lautsprechers}}</ref>
1924 erfand Schottky gemeinsam mit Erwin Gerlach das [[Mikrofon#Bändchenmikrofon|Bändchenmikrofon]]. Die Idee war, dass ein sehr dünnes, in einem Magnetfeld aufgehängtes Bändchen elektrische Signale erzeugen könnte. Dies führte zur Erfindung des Bändchenlautsprechers durch Verwendung in umgekehrter Reihenfolge, war jedoch erst in den späten 1930er Jahren praktikabel, als [[Permanentmagnet]]e mit hohem Fluss verfügbar wurden.<ref>{{Internetquelle| url=https://www.static.tu.berlin/fileadmin/www/10002020/Dokumente/Abschlussarbeiten/SassnowskiGeorg_MagA.pdf| titel=Die historische Entwicklung von Lautsprechern und ihres Einsatzes bei Konzertveranstaltungen| autor=Georg Saßnowski| hrsg=TU Berlin| werk=Freie wissenschaftliche Arbeit zur Erlangung des Grades eines Magister Artium M.A.| seiten=33| datum=2008-09| archiv-url=| archiv-datum=| abruf=2024-07-26| format=pdf| zitat=So entstand aus den Arbeiten von Walter Schottky und Erwin Gerlach zum 1924 vorgestellten Bändchenmikrofon der Bandlautsprecher als eine Sonderform des elektrodynamischen Lautsprechers}}</ref>


Die Schottky-Diode wurde nach ihm benannt, weil er 1938 das Modell des Metall-Halbleiter-Kontaktes entwickelte; sie ist eine Halbleiterdiode, die durch die Verbindung eines [[Halbleiter]]s mit einem Metall gebildet wird.
Die Schottky-[[Diode]] wurde nach ihm benannt, weil er 1938 das Modell des [[Metall-Halbleiter-Kontakt]]es entwickelte; sie ist eine Halbleiterdiode, die durch die Verbindung eines [[Halbleiter]]s mit einem Metall gebildet wird.


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Aktuelle Version vom 28. Juli 2024, 09:08 Uhr

Walter Schottky

Walter Hans Schottky (* 23. Juli 1886 in Zürich; † 4. März 1976 in Forchheim (Oberfranken)) war ein deutscher Physiker und Elektrotechniker. Er war der Sohn des Mathematikers Friedrich Schottky (1851–1935) und seiner Ehefrau Henriette Schottky (1858–1947, geb. Hammer).[1][2]

Nach Walter Schottky wurden der Schottky-Effekt (eine Glühemission, wichtig für die Röhrentechnik), die Schottky-Diode (wobei die darin auftretende Sperrschicht als Schottky-Barriere bezeichnet wird), die Schottky-Leerstellen (oder auch Schottky-Defekte), die Schottky-Anomalie (ein Scheitelwert der Wärmekapazität) und die Schottky-Gleichung (auch Langmuir-Schottkysches-Raumladungsgesetz) benannt.

Er leistete Forschungsarbeit über elektrische Rauschmechanismen (Schrotrauschen), die Raumladung, speziell in Elektronenröhren, sowie über die Sperrschicht in Halbleitern, die für die Entwicklung von Kupferoxydul-Gleichrichtern und Transistoren von Bedeutung waren.

Leben und Wirken

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Gedenktafel am Haus Heesestraße 15 in Steglitz

Nach dem Gymnasium in Marburg und Steglitz studierte er ab 1904 Physik an der Universität Berlin. Er promovierte 1912 bei Max Planck mit dem Thema Zur relativtheoretischen Energetik und Dynamik. Danach ging er an die Universität Jena an das Physikalische Institut unter der Leitung von Max Wien. Er konnte 1913 sein theoretisch abgeleitetes U3/2-Gesetz für den Glühelektronenstrom in Elektronenröhren (Schottky-Gleichung) experimentell nachweisen. 1914 bis 1916 war er wieder an der Universität Berlin, um sich zu habilitieren. Er entschloss sich aber zum Wechsel in die Industrie und begann 1916 bei der Firma Siemens. 1919 nahm er seine Bemühungen um die Habilitation wieder auf, ohne die Bindung an Siemens aufzugeben. Seine Habilitationsschrift Thermodynamik der seltenen Zustände im Dampfraum (Thermische Ionisierung und thermisches Leuchten) reichte er 1920 an der Universität Würzburg ein.

Schottky war in den Jahren 1923 bis 1927 Professor für theoretische Physik an der Universität Rostock. Danach wechselte er wieder zu Siemens & Halske nach Berlin, wo er in den wissenschaftlichen Laboratorien arbeitete. Schottky betrieb dort Grundlagenforschung im Bereich der Halbleiterphysik und der Elektronik. Seine Forschungsgruppe zog während des Zweiten Weltkriegs in das fränkische Pretzfeld um. Dies war auch Auslöser für die Gründung eines Siemens-Labors im Schloss in Pretzfeld im Jahr 1946. Der Physiker wohnte bis zu seinem Tod 1976 in dem Ort, wo er auch beerdigt wurde.

Erfindungen

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1915 erfand Schottky die Tetrode, eine Schirmgitterröhre. 1918 entwickelte er laut einigen Quellen das Prinzip eines Überlagerungsempfängers, eines besonders hochwertigen Rundfunkempfangskreises, der mit einer Zwischenfrequenz arbeitet.[3]

1924 erfand Schottky gemeinsam mit Erwin Gerlach das Bändchenmikrofon. Die Idee war, dass ein sehr dünnes, in einem Magnetfeld aufgehängtes Bändchen elektrische Signale erzeugen könnte. Dies führte zur Erfindung des Bändchenlautsprechers durch Verwendung in umgekehrter Reihenfolge, war jedoch erst in den späten 1930er Jahren praktikabel, als Permanentmagnete mit hohem Fluss verfügbar wurden.[4]

Die Schottky-Diode wurde nach ihm benannt, weil er 1938 das Modell des Metall-Halbleiter-Kontaktes entwickelte; sie ist eine Halbleiterdiode, die durch die Verbindung eines Halbleiters mit einem Metall gebildet wird.

Das von ihm mitentwickelte Mott-Schottky-Diagramm trägt seinen Namen.

Auszeichnungen

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Als Namensgeber

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Walter-Schottky-Institut in Garching

Nach ihm sind der Walter-Schottky-Preis für hervorragende Leistungen in der Festkörperphysik, das Walter-Schottky-Institut der Technischen Universität München, das Walter-Schottky-Haus der Rheinisch-Westfälischen Technischen Hochschule Aachen sowie der Walter-Schottky-Bau der Georg-Simon-Ohm-Hochschule Nürnberg benannt. Ebenso sind die Walter-Schottky-Grundschule und die Walter-Schottky-Straße in Pretzfeld nach ihm benannt. In der Schottkystraße in Erlangen liegt das Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie.

Literatur

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Commons: Walter Schottky – Sammlung von Bildern

Einzelnachweise

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  1. ↑ Pretzfelder Erinnerungen, Abruf: 28. Juli 2024
  2. ↑ John J. O’Connor, Edmund F. Robertson: Walter Schottky. In: MacTutor History of Mathematics archive (englisch).
  3. ↑ Patent DE368937: Empfangsanordnung für elektrische Wellensignale. Angemeldet am 18. Juni 1918.‌
  4. ↑ Georg Saßnowski: Die historische Entwicklung von Lautsprechern und ihres Einsatzes bei Konzertveranstaltungen. (pdf) In: Freie wissenschaftliche Arbeit zur Erlangung des Grades eines Magister Artium M.A. TU Berlin, September 2008, S. 33, abgerufen am 26. Juli 2024: „So entstand aus den Arbeiten von Walter Schottky und Erwin Gerlach zum 1924 vorgestellten Bändchenmikrofon der Bandlautsprecher als eine Sonderform des elektrodynamischen Lautsprechers“
  5. ↑ Die BWG gedenkt ihrer verstorbenen Mitglieder. In: bwg-nds.de. Braunschweigische Wissenschaftliche Gesellschaft, abgerufen am 12. April 2023.
Personendaten
NAME Schottky, Walter Hans
ALTERNATIVNAMEN Schottki, Walter
KURZBESCHREIBUNG deutscher Physiker
GEBURTSDATUM 23. Juli 1886
GEBURTSORT Zürich, Schweiz
STERBEDATUM 4. März 1976
STERBEORT Forchheim, Bayern
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