« Évaporation sous vide » : différence entre les versions
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{{Voir homonymes|Évaporation (homonymie)}}
{{sources à lier|date=mai 2017}}
[[Image:Coating deposition machine by evaporation at LAAS 0475.jpg|thumb|200px|Système de métallisation par évaporation sous vide du laboratoire [[Laboratory for analysis and architecture of systems|LAAS]] de [[Toulouse]].]]
L{{'}}'''évaporation sous vide''' est une technique de [[dépôt de couche mince]] (généralement métallique),
== Principe ==
[[image:Evapo shadowing.png|thumb
L'évaporation sous vide repose sur deux processus élémentaires : l'[[évaporation]] d'une source chauffée et la condensation à
L'évaporation a lieu sous vide, c'est-à-dire dans un environnement [[gaz]]eux, vapeur de
La collision de différents atomes durant l'évaporation peut provoquer des réactions susceptibles de modifier la nature du dépôt souhaité. Par exemple en présence d'[[oxygène]], l'[[aluminium]] formera de l'[[oxyde d'aluminium]]. Ce phénomène peut aussi diminuer la quantité de vapeur déposée.
Le
== Équipement ==
[[Image:Fourpocketevapsource.jpg|thumb|Un système à quatre sources d'évaporation.]]
Tous les systèmes d'évaporation sont équipés d'une chambre dans laquelle sont placées la source et la cible du dépôt, d'une [[pompe]] pour faire le vide et d'une source d'[[énergie]] pour l'évaporation.
* dans la méthode ''thermique'', le matériel à déposer est placé dans un [[creuset]] qui est chauffé radialement par un filament électrique ; il est possible aussi que le filament lui
▲Tous les systèmes d'évaporation sont équipés d'une chambre dans laquelle sont placées la source et la cible du dépôt, d'une [[pompe]] pour faire le vide et d'une source d'[[énergie]] pour l'évaporation. Ils existent différentes sources d’énergie :
* dans la méthode par ''[[Évaporation par faisceau d'électrons|faisceau d'électrons]]'', la source est chauffée par un faisceau d'[[électron]]s d'une énergie allant jusqu'à 15 [[keV]] ;▼
▲* dans la méthode ''thermique'', le matériel à déposer est placé dans un creuset qui est chauffé radialement par un filament électrique ; il est possible aussi que le filament lui même soit la source ;
▲* dans la méthode par ''faisceau d'électrons'', la source est chauffée par un faisceau d'[[électron]]s d'une énergie allant jusqu'à 15 [[keV]] ;
* par ''évaporation flash'', la matière à déposer est sous forme d'un fil qui est continuellement dévidé et évaporé par contact avec une barre de [[céramique]] très chaude.
Dans certains systèmes, le support est monté sur un plateau qui tourne pendant le dépôt afin d'améliorer la régularité du dépôt et de limiter l'effet d'ombrage.
==
{{Références}}
* {{cite book |last=Jaeger |first=Richard C. |title=Introduction to Microelectronic Fabrication |year=2002 |publisher=Prentice Hall |location=Upper Saddle River |id=ISBN 0-201-44494-7 |chapter=Film Deposition}}▼
{{...}}
* ''Semiconductor Devices: Physics and Technology,'' by S.M. Sze, ISBN 0-471-33372-7, has an especially detailed discussion of film deposition by evaporation.▼
== Liens externes ==
{{Liens}}
== Voir aussi ==
{{Autres projets
| wiktionary = évaporation sous vide
}}
=== Bibliographie ===
▲* {{
▲* ''Semiconductor Devices : Physics and Technology,'' by S.M. Sze, {{ISBN
=== Articles connexes ===
{{Palette|Revêtement de surface}}
{{portail|micro et nanotechnologie}}
[[Catégorie:Dépôt sous vide de couches minces]]
[[Catégorie:Fabrication de semi-conducteur|Evaporation sous vide]]
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