« Nitrure de gallium-indium » : différence entre les versions
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Le '''Nitrure de gallium-indium''' ('''InGaN''', [[Indium|In]]<sub>x</sub>[[Gallium|Ga]]<sub>1-x</sub>[[Azote|N]]) est un [[semi-conducteur III-V]] composé de [[nitrure de gallium]] (GaN) et de [[nitrure d'indium]] (InN). |
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== Notes et références == |
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Version du 16 janvier 2023 à 13:30
Nitrure de gallium-indium | |
__ Ga/In __ N | |
Identification | |
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Nom UICPA | Nitrure de gallium-indium |
Propriétés chimiques | |
Formule | InxGa1-xN |
Unités du SI et CNTP, sauf indication contraire. | |
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Le Nitrure de gallium-indium (InGaN, InxGa1-xN) est un semi-conducteur III-V composé de nitrure de gallium (GaN) et de nitrure d'indium (InN).
C'est un composé à gap direct, dont la bande interdite peut varier théoriquement entre 0,67 et 3,4 eV, en fonction du ratio In/Ga. Ce ratio ne varie cependant en pratique qu'entre 0,02/0,98 et 0,3/0,7[1].
Notes et références
- (en) Cet article est partiellement ou en totalité issu de l’article de Wikipédia en anglais intitulé « Indium gallium nitride » (voir la liste des auteurs).
- (en) G. Linti, The Group13 Metals Aluminium, Gallium, Indium and Thallium. Chemical Patterns and Peculiarities, Simon Aldridge and AnthonyJ. Downs.Angew. Chem (DOI 10.1002/anie.201105633)